TSM60NB190CF C0G
/MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ, 600V, 18A
TSM60NB190CF C0G的规格信息
制造商:Taiwan Semiconductor
产品种类:MOSFET
RoHS:是
技术:Si
通道数量:1 Channel
晶体管极性:N-Channel
Vds-漏源极击穿电压:600 V
Id-连续漏极电流:18 A
Rds On-漏源导通电阻:170 mOhms
Vgs th-栅源极阈值电压:2 V
Vgs - 栅极-源极电压:10 V
Qg-栅极电荷:32 nC
最小工作温度:- 55 C
最大工作温度:+ 150 C
Pd-功率耗散:59.5 W
配置:Single
通道模式:Enhancement
封装:Tube
晶体管类型:N-Channel Power MOSFET
商标:Taiwan Semiconductor
下降时间:17 ns
产品类型:MOSFET
上升时间:34 ns
工厂包装数量:2000
子类别:MOSFETs
典型关闭延迟时间:26 ns
典型接通延迟时间:11 ns
TSM60NB190CF C0G
TSM60NB190CF C0G及相关型号的PDF资料
| 型号 | 功能描述 | 生产厂商 | 厂商LOGO | PDF大小 | PDF页数 | 下载地址 | 相关型号 |
| TSM60NB190CF C0G | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ, 600V, 18A | Taiwan Semiconductor |  | 289.91 Kbytes | 共6页 |  | 无 |
TSM60NB190CF C0G的全球分销商及价格
| 销售商 | 型号 | 制造商 | 功能描述 | 价格 |
Mouser 贸泽电子 | TSM60NB190CF C0G | Taiwan Semiconductor | MOSFET MOSFET, Single, N-Ch SJ, 600V, 18A | 1:¥22.1254
10:¥19.9784
100:¥15.9782
500:¥12.4526
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